onsemi RFD16N06LESM N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N06LESM9A
- RS Stock No.:
- 166-3194
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFD16N06LESM9A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB83,700.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB89,550.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB33.48 | THB83,700.00 |
| 5000 - 7500 | THB32.475 | THB81,187.50 |
| 10000 + | THB31.501 | THB78,752.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-3194
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFD16N06LESM9A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RFD16N06LESM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 47mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 90W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RFD16N06LESM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 90W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.39mm | ||
Width 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi RFD16N06LESM N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N06LESM9A
- STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD16NF06T4
- onsemi MegaFET N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi MegaFET N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N05LSM9A
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD18N20LZ
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252