onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 166-2656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFD16N05LSM9A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB42,410.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45,377.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB16.964 | THB42,410.00 |
| 5000 - 7500 | THB16.455 | THB41,137.50 |
| 10000 + | THB15.961 | THB39,902.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-2656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFD16N05LSM9A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Series | MegaFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 47mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Series MegaFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N05LSM9A
- onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RFP50N06
- onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD18N20LZ
- onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N06LESM9A
- onsemi Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252