onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N06LESM9A

RS Stock No.:: 802-2146
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RFD16N06LESM9A
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N06LESM9A

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB213.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB227.955

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,410 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB42.608	THB213.04
625 - 1245	THB41.544	THB207.72
1250 +	THB40.904	THB204.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 802-2146
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RFD16N06LESM9A
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	RFD16N06LESM
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	47mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	90W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Height	2.39mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series RFD16N06LESM
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 90W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Height 2.39mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N06LESM9A

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง