onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N06LESM9A
- RS Stock No.:
- 802-2146
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFD16N06LESM9A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB213.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB227.955
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,410 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB42.608 | THB213.04 |
| 625 - 1245 | THB41.544 | THB207.72 |
| 1250 + | THB40.904 | THB204.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 802-2146
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFD16N06LESM9A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RFD16N06LESM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 47mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 90W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RFD16N06LESM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 90W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.39mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD16NF06T4
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP16NF06
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB16NF06LT4
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252