onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 16 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD18N20LZ
- RS Stock No.:
- 166-3429
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDD18N20LZ
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB94,737.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB101,370.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB37.895 | THB94,737.50 | - |
| 5000 - 7500 | THB36.758 | THB91,895.00 | 3% |
| 10000 + | THB35.655 | THB89,137.50 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-3429
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDD18N20LZ
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | UniFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 130mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.39mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series UniFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.39mm | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD18N20LZ
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB52N20TM
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDPF39N20
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP61N20
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD7N25LZTM
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
