Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 4.8 A, 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 168-5922
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN50R1K4CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB18,117.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,386.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB6.039 | THB18,117.00 |
| 6000 - 9000 | THB5.858 | THB17,574.00 |
| 12000 + | THB5.682 | THB17,046.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-5922
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN50R1K4CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 550V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.83V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.7mm | |
| Width | 3.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 550V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series CoolMOS CE | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.83V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.7mm | ||
Width 3.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IPN50R1K4CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IPN50R650CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R280CEXKSA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R380CEAUMA1