Vishay Si1308EDL Type N-Channel Power MOSFET, 1.5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- RS Stock No.:
- 165-7247
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1308EDL-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB13,641.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,595.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 12,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB4.547 | THB13,641.00 |
| 6000 - 9000 | THB4.411 | THB13,233.00 |
| 12000 + | THB4.278 | THB12,834.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7247
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1308EDL-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Series | Si1308EDL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.185Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead (Pb)-Free | |
| Length | 2.2mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-323 | ||
Series Si1308EDL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.185Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead (Pb)-Free | ||
Length 2.2mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si1308EDL Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 Si1308EDL-T1-GE3
- Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3
- Vishay 2N7002K Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3
