Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB264.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB283.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • 3,875 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 20THB52.97THB264.85
25 - 120THB48.846THB244.23
125 +THB40.198THB200.99

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
710-3345
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4559ADY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

72mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

3.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง