Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3

RS Stock No.:: 165-6339
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7900AEDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB27.065

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 11/02/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB27.065	THB81,195.00
6000 - 9000	THB26.253	THB78,759.00
12000 +	THB25.466	THB76,398.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6339
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7900AEDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	6 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	PowerPAK 1212-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	36 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	1.5 W
Transistor Configuration	Common Drain
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	3.15mm
Number of Elements per Chip	2
Typical Gate Charge @ Vgs	10.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material	Si
Length	3.15mm
Height	1.07mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง