Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 814-1304
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS415DNT-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*
THB213.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB227.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,880 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB10.653 | THB213.06 |
| 760 - 1480 | THB10.386 | THB207.72 |
| 1500 + | THB10.227 | THB204.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 814-1304
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS415DNT-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | TrenchFET Gen III | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0095Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.4 mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series TrenchFET Gen III | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0095Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.4mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.4 mm | ||
Height 0.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS63DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS50DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8
