Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 176 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ014NE2LS5IFATMA1
- RS Stock No.:
- 214-8984
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB491.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB525.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 1240 | THB49.10 | THB491.00 |
| 1250 - 2490 | THB47.875 | THB478.75 |
| 2500 + | THB47.138 | THB471.38 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8984
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 176A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Forward Voltage Vf | 600mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.1mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 176A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Forward Voltage Vf 600mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.1mm | ||
Height 1.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and Strong IRFET families. With the OptiMOS-5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Monolithic integrated Schottky like diode
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TSDSON BSZ0589NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC009NE2LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5IATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON