Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 165-5802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFI4110GPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,881.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,222.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,050 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB97.624 | THB4,881.20 |
| 100 - 150 | THB95.502 | THB4,775.10 |
| 200 + | THB93.379 | THB4,668.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFI4110GPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 61W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 190nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.75mm | |
| Height | 16.13mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 61W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 190nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.75mm | ||
Height 16.13mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET Series MOSFET, 72A Maximum Continuous Drain Current, 61W Maximum Power Dissipation - IRFI4110GPBF
This n-channel MOSFET is designed for high-performance applications, providing efficient current handling and high voltage tolerance. It is essential in various electronic devices and ensures robust operation in challenging environments. Its performance in power switching and thermal management makes it a preferred component in the automation, electronics, and mechanical sectors.
Features & Benefits
• Continuous drain current capability of 72A
• Low Rds(on) resistance for enhanced operational efficiency
• Enhancement mode for effective performance
• Maximum drain-source voltage rating of 100V
• Excellent thermal management up to +175°C
• Improved avalanche ruggedness for added reliability
Applications
• Suitable for high-efficiency synchronous rectification
• Ideal for uninterruptible power supply systems
• Compatible with high-speed power switching
• Utilised in hard-switched and high-frequency circuits
What is the maximum continuous drain current for your application?
The continuous drain current is rated at 72A under optimal conditions, making it suitable for demanding applications.
What is the significance of the gate threshold voltage?
The gate threshold voltage ranges from 2V to 4V, enabling precise control of the switching characteristics.
How does the MOSFET manage thermal performance?
It has a maximum operating temperature rating of +175°C, which supports durability in high-temperature environments.
What advantages does low Rds(on) offer in device performance?
Low Rds(on) decreases power losses during switching, leading to improved overall efficiency.
Can this product handle high-frequency circuits?
Yes, it is specifically designed for hard-switched and high-frequency applications, ensuring consistent performance.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4110GPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL4127PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
