Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 72 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4110GPBF

RS Stock No.:: 827-3962
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-457
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFI4110GPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 72 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4110GPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 14 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB36.54

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB208.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB223.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,040 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
2 - 12	THB104.33	THB208.66	-
14 - 24	THB101.72	THB203.44	THB36.54
26 +	THB100.155	THB200.31	THB108.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-3962
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-457
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFI4110GPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	72A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	190nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	61W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.75mm
	Height	16.13mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 72A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 190nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 61W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.75mm
	Height 16.13mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.83mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 72A Maximum Continuous Drain Current, 61W Maximum Power Dissipation - IRFI4110GPBF

This n-channel MOSFET is designed for high-performance applications, providing efficient current handling and high voltage tolerance. It is essential in various electronic devices and ensures robust operation in challenging environments. Its performance in power switching and thermal management makes it a preferred component in the automation, electronics, and mechanical sectors.

Features & Benefits

• Continuous drain current capability of 72A

• Low Rds(on) resistance for enhanced operational efficiency

• Enhancement mode for effective performance

• Maximum drain-source voltage rating of 100V

• Excellent thermal management up to +175°C

• Improved avalanche ruggedness for added reliability

Applications

• Suitable for high-efficiency synchronous rectification

• Ideal for uninterruptible power supply systems

• Compatible with high-speed power switching

• Utilised in hard-switched and high-frequency circuits

What is the maximum continuous drain current for your application?

The continuous drain current is rated at 72A under optimal conditions, making it suitable for demanding applications.

What is the significance of the gate threshold voltage?

The gate threshold voltage ranges from 2V to 4V, enabling precise control of the switching characteristics.

How does the MOSFET manage thermal performance?

It has a maximum operating temperature rating of +175°C, which supports durability in high-temperature environments.

What advantages does low Rds(on) offer in device performance?

Low Rds(on) decreases power losses during switching, leading to improved overall efficiency.

Can this product handle high-frequency circuits?

Yes, it is specifically designed for hard-switched and high-frequency applications, ensuring consistent performance.