Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 250 mA, 880 mA, 20 V, 30 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4158CT1G

RS Stock No.:: 163-1118
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTJD4158CT1G
ผู้ผลิต / Manufacturer:: onsemi

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 250 mA, 880 mA, 20 V, 30 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4158CT1G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB5.612

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6.005

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 04/03/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB5.612	THB16,836.00
6000 - 9000	THB5.444	THB16,332.00
12000 +	THB5.28	THB15,840.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 163-1118
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTJD4158CT1G
ผู้ผลิต / Manufacturer:: onsemi

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	250 mA, 880 mA
Maximum Drain Source Voltage	20 V, 30 V
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	2.5 Ω, 500 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	270 mW
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	0.9 nC @ 5 V, 2.2 nC @ 4.5 V
Length	2.2mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	1.35mm
Number of Elements per Chip	2
Height	1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 250 mA, 880 mA, 20 V, 30 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4158CT1G

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง