DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 840 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMG1016UDW-7
- RS Stock No.:
- 751-4089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG1016UDW-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*
THB287.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB307.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 100,750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB5.75 | THB287.50 |
| 750 - 1450 | THB5.607 | THB280.35 |
| 1500 + | THB5.52 | THB276.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 751-4089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG1016UDW-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 840mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -6/6 V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 736.6nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Width | 1.35 mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Length | 2.2mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 840mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -6/6 V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 736.6nC | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Width 1.35 mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Length 2.2mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 840 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88 DMC2004DWK-7
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 700 mA 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 700 mA 6-Pin SC-88 SI1553CDL-T1-GE3
- onsemi Isolated 2 Type N 880 mA 6-Pin SC-88 NTJD4158CT1G
- onsemi Isolated 2 Type N 880 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
