onsemi Isolated 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 880 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD4158CT1G
- RS Stock No.:
- 780-0614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTJD4158CT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB166.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB178.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB6.65 | THB166.25 |
| 750 - 1475 | THB6.484 | THB162.10 |
| 1500 + | THB6.384 | THB159.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-0614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTJD4158CT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 880mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, -12V, +12V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 650mV | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Width | 1.35mm | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 880mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, -12V, +12V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 650mV | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Width 1.35mm | ||
Height 1mm | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 Type N 880 mA 6-Pin SC-88 NTJD4158CT1G
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88 DMC2004DWK-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 840 mA 6-Pin SC-88 DMG1016UDW-7
- onsemi Isolated 2 Type N Type P 700 mA 6-Pin SOT-363 FDG6332C
- Nexperia Dual NX3008CBKS 2 Type P 350 mA 6-Pin SC-88 NX3008CBKS,115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement115
- onsemi Isolated 2 Type N 3.9 A 8-Pin SOIC SI4532DY