onsemi Isolated 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 880 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD4158CT1G
- RS Stock No.:
- 780-0614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTJD4158CT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB174.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB186.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB6.96 | THB174.00 |
| 750 - 1475 | THB6.786 | THB169.65 |
| 1500 + | THB6.682 | THB167.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-0614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTJD4158CT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 880mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270mW | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.65V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.2mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 880mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270mW | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Forward Voltage Vf 0.65V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.2mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 Type N 880 mA 6-Pin SC-88
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD4001NT1G
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 840 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88 DMC2004DWK-7
