Nexperia Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 151-3049
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMDXB600UNEZ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB12,005.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,845.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB2.401 | THB12,005.00 |
| 10000 - 15000 | THB2.329 | THB11,645.00 |
| 20000 + | THB2.259 | THB11,295.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-3049
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMDXB600UNEZ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 600mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.03W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.05 mm | |
| Length | 1.15mm | |
| Height | 0.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 600mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.03W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.05 mm | ||
Length 1.15mm | ||
Height 0.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel MOSFETs ≤ 20 V, Get the optimum switching solutions for your portable designs, Choose from a wide range of single and dual N-channel MOSFETs up to 20 V. Great reliability due to our trusted TrenchMOS and package technologies. Easy-to-use, our low voltage MOSFETs are designed specifically to meet the demands of portable applications with low drive voltages.
20 V, dual N-channel Trench MOSFET, Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Trench MOSFET technology
Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Exposed drain pad for excellent thermal conduction
ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM
Drain-source on-state resistance RDSon = 470 mΩ
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB600UNEZ
- DiodesZetex DMN2005K Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN2005K-7
- DiodesZetex DMN2005K Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMP21D6UFD-7
- Nexperia Dual Trench MOSFET 2 Type P-Channel Trench MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin DFN
- Nexperia Dual Trench MOSFET 2 Type P-Channel Trench MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB950UPELZ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN