Nexperia N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB600UNEZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
151-3049
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMDXB600UNEZ
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

600mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8V

Maximum Power Dissipation Pd

4.03W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

400μm

Width

1.05mm

Standards/Approvals

No

Length

1.15mm

Automotive Standard

No

N-channel MOSFETs ≤ 20 V, Get the optimum switching solutions for your portable designs, Choose from a wide range of single and dual N-channel MOSFETs up to 20 V. Great reliability due to our trusted TrenchMOS and package technologies. Easy-to-use, our low voltage MOSFETs are designed specifically to meet the demands of portable applications with low drive voltages.

20 V, dual N-channel Trench MOSFET, Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 470 mΩ

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง