Nexperia Dual Trench MOSFET 2 Type P-Channel Trench MOSFET, 500 mA, -20 V Enhancement, 8-Pin DFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB35,175.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB37,635.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB7.035THB35,175.00
10000 - 15000THB6.824THB34,120.00
20000 +THB6.619THB33,095.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
152-7150
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMDXB950UPELZ
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Channel Type

Type P

Product Type

Trench MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

500mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Series

Trench MOSFET

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

4025mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.19nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

-55°C

Height

0.36mm

Standards/Approvals

No

Width

1.05 mm

Length

1.15mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

P-channel MOSFETs, The perfect fit for your design when N-channels simply aren’t suitable, Our extensive MOSFET catalog also includes many P-channel device families, based on Nexperia’s leading Trench technology. Rated from 12 V to 70 V and housed in low- and medium-power packages, they offer our familiar blend of high efficiency and high reliability.

20 V, dual P-channel Trench MOSFET, Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Low leakage current

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω

Relay driver

High-speed line driver

High-side load switch

Switching circuits

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง