Nexperia Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 151-3071
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMPB215ENEAX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB19,449.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,811.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB6.483 | THB19,449.00 |
| 6000 - 9000 | THB6.289 | THB18,867.00 |
| 12000 + | THB6.10 | THB18,300.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-3071
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMPB215ENEAX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 445mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.65mm | |
| Length | 2.1mm | |
| Width | 2.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 445mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.65mm | ||
Length 2.1mm | ||
Width 2.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
80 V, single N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Trench MOSFET technology
Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN PMPB215ENEAX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN PMPB95ENEAX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin DFN
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB600UNEZ
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi NVM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN