Nexperia Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB600UNEZ

RS Stock No.:: 151-3178
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMDXB600UNEZ
ผู้ผลิต:: Nexperia

Nexperia Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB600UNEZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB206.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB221.375

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 1225	THB8.276	THB206.90
1250 - 2475	THB8.07	THB201.75
2500 +	THB7.945	THB198.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 151-3178
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMDXB600UNEZ
ผู้ผลิต:: Nexperia

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Nexperia
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	600mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	4.03W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.05 mm
	Height	0.4mm
	Length	1.15mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Nexperia
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 600mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 4.03W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.05 mm
	Height 0.4mm
	Length 1.15mm
	Automotive Standard No

N-channel MOSFETs ≤ 20 V, Get the optimum switching solutions for your portable designs, Choose from a wide range of single and dual N-channel MOSFETs up to 20 V. Great reliability due to our trusted TrenchMOS and package technologies. Easy-to-use, our low voltage MOSFETs are designed specifically to meet the demands of portable applications with low drive voltages.

20 V, dual N-channel Trench MOSFET, Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 470 mΩ

Nexperia Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB600UNEZ

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง