Nexperia Dual Trench MOSFET 2 Type P-Channel Trench MOSFET, 500 mA, -20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB950UPELZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB167.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB179.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 7,075 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 1225THB6.716THB167.90
1250 - 2475THB6.548THB163.70
2500 +THB6.448THB161.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
152-8344
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMDXB950UPELZ
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Channel Type

Type P

Product Type

Trench MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

500mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Series

Trench MOSFET

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.19nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

4025mW

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

1.05 mm

Height

0.36mm

Length

1.15mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

P-channel MOSFETs, The perfect fit for your design when N-channels simply aren’t suitable, Our extensive MOSFET catalog also includes many P-channel device families, based on Nexperia’s leading Trench technology. Rated from 12 V to 70 V and housed in low- and medium-power packages, they offer our familiar blend of high efficiency and high reliability.

20 V, dual P-channel Trench MOSFET, Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Low leakage current

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω

Relay driver

High-speed line driver

High-side load switch

Switching circuits

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง