IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 66 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK66N85X

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
146-4374
Distrelec หมายเลขบทความ:
302-53-353
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFK66N85X
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

HiperFET

Package Type

TO-264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

230nC

Forward Voltage Vf

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.25kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.3 mm

Height

26.3mm

Length

20.3mm

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

30253353

Automotive Standard

No

The 850V Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodes represent a new power semiconductor product line from IXYS Corporation. These rugged devices display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, the new 850V devices exhibit the lowest on-state resistances (33 milliohm in the SOT-227 package and 41 milliohm in the PLUS264, for instance), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง