IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB90N85X

RS Stock No.:: 146-4246
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFB90N85X
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB90N85X

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB35,995.225

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38,514.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 25	THB1,439.809	THB35,995.23
50 - 75	THB1,408.509	THB35,212.73
100 +	THB1,377.208	THB34,430.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 146-4246
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFB90N85X
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Series	HiperFET
	Package Type	PLUS264
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	41mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	340nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.79kW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	20.29mm
	Width	5.31 mm
	Height	26.59mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Series HiperFET
	Package Type PLUS264
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 340nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.79kW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 20.29mm
	Width 5.31 mm
	Height 26.59mm
	Automotive Standard No

The 850V Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodes represent a new power semiconductor product line from IXYS Corporation. These rugged devices display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, the new 850V devices exhibit the lowest on-state resistances (33 milliohm in the SOT-227 package and 41 milliohm in the PLUS264, for instance), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB90N85X

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง