IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 66 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK66N85X

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
146-4244
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFK66N85X
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Series

HiperFET

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

66 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

850 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-264

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.4 V

Height

26.3 mm

Length

20.3 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

65 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

30 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

1.25 kW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

230 nC

Width

5.3 mm

The 850V Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodes represent a new power semiconductor product line from IXYS Corporation. These rugged devices display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, the new 850V devices exhibit the lowest on-state resistances (33 milliohm in the SOT-227 package and 41 milliohm in the PLUS264, for instance), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง