ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB45,847.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB49,056.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 1THB45,847.50
2 +THB44,701.32

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
144-2260
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSM300D12P2E001
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

BSM

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

1875W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

152mm

Width

57.95 mm

Height

17mm

Number of Elements per Chip

2

COO (Country of Origin):
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง