STMicroelectronics 3 Phase A2U Type N-Channel SiC Power Module, 75 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK 2 A2U12M12W2-F2
- RS Stock No.:
- 249-6720
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- A2U12M12W2-F2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB10,415.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB11,144.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB10,415.74 |
| 2 - 3 | THB10,259.49 |
| 4 - 7 | THB10,105.59 |
| 8 - 11 | THB9,954.01 |
| 12 + | THB9,804.69 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6720
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- A2U12M12W2-F2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | A2U | |
| Package Type | ACEPACK 2 | |
| Mount Type | Chassis | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 2.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 298nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | 3 Phase | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series A2U | ||
Package Type ACEPACK 2 | ||
Mount Type Chassis | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 2.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 298nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration 3 Phase | ||
Standards/Approvals UL | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics power module represents a leg of a T-type 3-level inverter topology that integrates the advanced silicon carbide Power MOSFET technology. This module leverages the innovative properties of the wide-bandgap SiC material and a high-thermal-performance substrate. The result is exceptionally low on-resistance per unit area and excellent switching performance that is virtually independent of temperature.
3-level topology
ACEPACK 2 power module
13 mΩ of typical RDS(on) each switch
Insulation voltage UL certified of 2.5 kVrms
Integrated NTC temperature sensor
DBC Cu-Al2O3-Cu based
Press fit contact pins
An NTC sensor completes the design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 3 Phase A2U Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK 2
- STMicroelectronics A2F SiC Power Module 1200 V Enhancement ACEPACK 2
- STMicroelectronics A2F SiC Power Module 1200 V Enhancement ACEPACK 2 A2F12M12W2-F1
- onsemi Isolated Type N-Channel SiC Power Module 1200 V, 36-Pin F2 NXH006P120MNF2PTG
- onsemi Isolated Type N-Channel SiC Power Module 1200 V, 36-Pin F2
- ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001
- ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005
- STMicroelectronics SCT30N120H SiC N-Channel SiC Power Module 1200 V, 3-Pin HiP247 SCT30N120H
