ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB17,192.92

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB18,396.42

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 2THB17,192.92
3 - 5THB16,763.09
6 +THB16,344.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
144-2257
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSM120D12P2C005
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

240A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

BSM

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Height

17mm

Standards/Approvals

No

Width

45.6 mm

Length

122mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง