onsemi Isolated N-Channel SiC Power Module, 304 A, 1.2 kV, 36-Pin F2 NXH006P120MNF2PTG
- RS Stock No.:
- 229-6510
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH006P120MNF2PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB8,141.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,711.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB8,141.36 |
| 10 - 19 | THB8,026.63 |
| 20 - 29 | THB7,948.33 |
| 30 - 39 | THB7,909.17 |
| 40 + | THB7,830.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6510
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH006P120MNF2PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 304A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | F2 | |
| Mount Type | Chassis | |
| Pin Count | 36 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 950W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 847nC | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Width | 57mm | |
| Height | 17mm | |
| Standards/Approvals | Halide Free, Pb-Free, RoHS | |
| Length | 63.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 304A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type F2 | ||
Mount Type Chassis | ||
Pin Count 36 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 950W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 847nC | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Width 57mm | ||
Height 17mm | ||
Standards/Approvals Halide Free, Pb-Free, RoHS | ||
Length 63.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations and industrial power.
Options with pre−applied thermal interface material
Options with solderable pins and press−fit pins
Pb−free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated N-Channel SiC Power Module 1200 V, 36-Pin F2 NXH006P120MNF2PTG
- STMicroelectronics 3 Phase A2U N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK 2 A2U12M12W2-F2
- Littelfuse N-Channel SiC Power Module 12 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXFP36N60X3
- ROHM N-Channel SiC Power Module 1200 V BSM180D12P2C101
- ROHM BSM 2 N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007
- ROHM BSM 2 N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001
- ROHM Half Bridge BSM N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005
- STMicroelectronics SCT N-Channel SiC Power Module 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247