N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3

RS Stock No.:: 134-9731
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR692DP-T1-RE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 5)

THB61.892

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB66.224

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 19/07/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
5 - 745	THB61.892	THB309.46
750 - 1495	THB60.346	THB301.73
1500 +	THB59.416	THB297.08

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 134-9731
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR692DP-T1-RE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	24.2 A
Maximum Drain Source Voltage	250 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	67 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	104 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	25.3 nC @ 10 V
Length	6.25mm
Number of Elements per Chip	1
Width	5.26mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.12mm
Forward Diode Voltage	1.1V

N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง