Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB1,532.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,639.625

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 25 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 725THB61.294THB1,532.35
750 - 1475THB59.761THB1,494.03
1500 +THB58.842THB1,471.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
200-6862
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiR104ADP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.15mm

Width

5.15 mm

Height

6.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiR104ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง