Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR180ADP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 210-5001
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB377.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB403.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 1,125 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB75.428 | THB377.14 |
| 750 - 1495 | THB73.542 | THB367.71 |
| 1500 + | THB72.41 | THB362.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-5001
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 137A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SiR180ADP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46.2nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83.3W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.12mm | |
| Width | 5.26 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 137A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SiR180ADP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46.2nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83.3W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.12mm | ||
Width 5.26 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR680ADP-T1-RE3
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin WSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin WSON BSC028N06NSSCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
