Vishay SiRA N-Channel MOSFET, 128 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA54ADP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
268-8336
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiRA54ADP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiRA

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and It is used an application as synchronous rectification and motor drive control.

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง