Vishay SiRA Type N-Channel MOSFET, 128 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA54ADP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 268-8336
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiRA54ADP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB83,577.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB89,427.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB27.859 | THB83,577.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8336
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiRA54ADP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 128A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SiRA | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0022Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 128A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SiRA | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0022Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and It is used an application as synchronous rectification and motor drive control.
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiRA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA54ADP-T1-RE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR500EP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5710DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR184LDP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5708DP-T1-RE3
- Vishay SIDR Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3
- Vishay SIRS5700DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS5700DP-T1-RE3
- Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS4300DP-T1-RE3