Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3

RS Stock No.:: 134-9723
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR632DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB159.03

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB170.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 285 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB31.806	THB159.03
750 - 1495	THB31.012	THB155.06
1500 +	THB30.534	THB152.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 134-9723
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR632DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	SiR632DP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	41mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	69.5W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.26 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series SiR632DP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 69.5W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.26 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง