N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3

RS Stock No.:: 134-9159
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR632DP-T1-RE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)**

THB22.233

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23.789

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

285 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB22.233	THB66,699.00
6000 - 9000	THB21.566	THB64,698.00
12000 +	THB20.919	THB62,757.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 134-9159
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR632DP-T1-RE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	150 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	41 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	69.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	5.26mm
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	14 nC @ 10 V
Length	6.25mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Forward Diode Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.12mm

N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง