Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT039N15N5ATMA1
- RS Stock No.:
- 249-3349
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT039N15N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB153.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB164.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB153.45 |
| 10 - 99 | THB138.08 |
| 100 - 249 | THB124.32 |
| 250 - 499 | THB111.93 |
| 500 + | THB100.69 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-3349
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT039N15N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Optimos 5 power mosfet is N-Channel mosfet offers very low on-resistance and superior thermal resistance. This device is Pb (Lead) and halogen free. It comes in a surface mount, PG-HSOF-8 package.
Drain to Source Voltage (Vdss) is 150 V
Continuous drain current is (Id) @ 25°C is 21 A (Ta), 190 A (Tc)
Drive Voltages (Max Rds On, Min Rds On) are 8V & 10V
Operating temperature is from -55°C to 175°C (TJ)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT054N15N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT044N15N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT063N15N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8