Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1404ZPBF

RS Stock No.:: 688-6813
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1404ZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1404ZPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB93.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB99.778

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 48 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 12	THB46.625	THB93.25
14 - 24	THB45.45	THB90.90
26 +	THB44.76	THB89.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 688-6813
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1404ZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	190A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	220W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	100nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	8.77mm
	Length	10.54mm
	Width	4.69 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 190A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 220W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 100nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 8.77mm
	Length 10.54mm
	Width 4.69 mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Infineon HEXFET Series MOSFET, 180A Maximum Continuous Drain Current, 40V Maximum Drain Source Voltage - IRF1404ZPBF

This MOSFET is a high-performance power component designed for a variety of applications in the automotive and industrial sectors. With a robust continuous drain current of 180A and a maximum drain-source voltage of 40V, it excels in demanding environments. The TO-220AB package type facilitates easy mounting, ensuring efficient integration into electronic circuits and systems.

Features & Benefits

• Utilises HEXFET technology for enhanced efficiency

• Designed for enhancement mode to optimise switching

• Provides fast switching speed to boost overall efficiency

• Capable of repetitive avalanche to enhance reliability

Applications

• Ideal for use in motor control circuits

• Utilised in power supplies and converters

• Designed for use in automotive

• Suited for various industrial automation systems

• Effective in power management and switching

How does the low on-resistance benefit my applications?

The low on-resistance of 2.7mΩ reduces conduction losses, improving overall efficiency in power conversion and energy management systems.

What happens if the device exceeds its maximum operating temperature?

Exceeding the maximum operating temperature of +175°C can lead to performance degradation and potential failure, emphasising the need for adequate thermal management.

Can this be used in parallel configurations?

Yes, when used in parallel configurations, it is Crucial to balance current sharing between devices to avoid overheating and maximise performance.