Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF540ZPBF

RS Stock No.:: 124-9001
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF540ZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF540ZPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,841.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,970.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
50 - 50	THB36.82	THB1,841.00	-
100 - 150	THB36.019	THB1,800.95	2%
200 +	THB35.22	THB1,761.00	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-9001
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF540ZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	27mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	92W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.69mm
	Length	10.54mm
	Standards/Approvals	No
	Height	8.77mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 92W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.69mm
	Length 10.54mm
	Standards/Approvals No
	Height 8.77mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 36A Maximum Continuous Drain Current, 100V Maximum Drain Source Voltage - IRF540ZPBF

This MOSFET is designed to deliver high performance in various electronic applications. Capable of handling a maximum continuous drain current of 36A and a drain-source voltage of 100V, its TO-220AB package ensures effective heat dissipation and stability. With maximum power dissipation rated at 92W, this N-channel device is particularly suited for demanding tasks in electrical and mechanical industries.

Features & Benefits

• Utilises HEXFET technology for enhanced efficiency

• Low Rds(on) of 26.5mΩ minimises power loss

• Fast switching speeds improve operational efficiency

• Supports enhancement mode for reliable performance

• Designed to handle repetitive avalanche conditions

Applications

• Used for motor control and power management

• Ideal for switching power supplies and converters

• Suitable for automotive requiring high efficiency

• Implemented in industrial automation systems

• Effective in electronic devices needing robust performance

What is the significance of the low Rds(on) rating in its performance?

The low Rds(on) rating reduces conduction losses, leading to higher efficiency during operation. It allows for improved thermal performance, which is critical in high-current applications.

How does the maximum drain-source voltage affect operational reliability?

The 100V drain-source voltage rating provides a substantial safety margin for applications, ensuring reliable operation under varying voltage conditions, thus preventing breakdown.

Can this MOSFET handle high-temperature environments?

With a maximum operating temperature of 175°C, it is designed to operate reliably in high-temperature conditions, making it suitable for challenging environments found in automotive and industrial applications.