Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 688-6872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF540ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB47.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB50.558
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 42 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 24 | THB23.625 | THB47.25 |
| 26 + | THB22.915 | THB45.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 688-6872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF540ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 92W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.69 mm | |
| Height | 8.77mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.54mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 92W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.69 mm | ||
Height 8.77mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.54mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET Series MOSFET, 36A Maximum Continuous Drain Current, 100V Maximum Drain Source Voltage - IRF540ZPBF
This MOSFET is designed to deliver high performance in various electronic applications. Capable of handling a maximum continuous drain current of 36A and a drain-source voltage of 100V, its TO-220AB package ensures effective heat dissipation and stability. With maximum power dissipation rated at 92W, this N-channel device is particularly suited for demanding tasks in electrical and mechanical industries.
Features & Benefits
• Utilises HEXFET technology for enhanced efficiency
• Low Rds(on) of 26.5mΩ minimises power loss
• Fast switching speeds improve operational efficiency
• Supports enhancement mode for reliable performance
• Designed to handle repetitive avalanche conditions
Applications
• Used for motor control and power management
• Ideal for switching power supplies and converters
• Suitable for automotive requiring high efficiency
• Implemented in industrial automation systems
• Effective in electronic devices needing robust performance
What is the significance of the low Rds(on) rating in its performance?
The low Rds(on) rating reduces conduction losses, leading to higher efficiency during operation. It allows for improved thermal performance, which is critical in high-current applications.
How does the maximum drain-source voltage affect operational reliability?
The 100V drain-source voltage rating provides a substantial safety margin for applications, ensuring reliable operation under varying voltage conditions, thus preventing breakdown.
Can this MOSFET handle high-temperature environments?
With a maximum operating temperature of 175°C, it is designed to operate reliably in high-temperature conditions, making it suitable for challenging environments found in automotive and industrial applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF540ZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL540NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 AUIRF540Z
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL540NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
