Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB47.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB50.558

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 42 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 24THB23.625THB47.25
26 +THB22.915THB45.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
688-6872
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF540ZPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

92W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.69 mm

Height

8.77mm

Standards/Approvals

No

Length

10.54mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 36A Maximum Continuous Drain Current, 100V Maximum Drain Source Voltage - IRF540ZPBF


This MOSFET is designed to deliver high performance in various electronic applications. Capable of handling a maximum continuous drain current of 36A and a drain-source voltage of 100V, its TO-220AB package ensures effective heat dissipation and stability. With maximum power dissipation rated at 92W, this N-channel device is particularly suited for demanding tasks in electrical and mechanical industries.

Features & Benefits


• Utilises HEXFET technology for enhanced efficiency

• Low Rds(on) of 26.5mΩ minimises power loss

• Fast switching speeds improve operational efficiency

• Supports enhancement mode for reliable performance

• Designed to handle repetitive avalanche conditions

Applications


• Used for motor control and power management

• Ideal for switching power supplies and converters

• Suitable for automotive requiring high efficiency

• Implemented in industrial automation systems

• Effective in electronic devices needing robust performance

What is the significance of the low Rds(on) rating in its performance?


The low Rds(on) rating reduces conduction losses, leading to higher efficiency during operation. It allows for improved thermal performance, which is critical in high-current applications.

How does the maximum drain-source voltage affect operational reliability?


The 100V drain-source voltage rating provides a substantial safety margin for applications, ensuring reliable operation under varying voltage conditions, thus preventing breakdown.

Can this MOSFET handle high-temperature environments?


With a maximum operating temperature of 175°C, it is designed to operate reliably in high-temperature conditions, making it suitable for challenging environments found in automotive and industrial applications.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง