Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 AUIRF540Z
- RS Stock No.:
- 737-7458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF540Z
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 14 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB51.03
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB290.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB311.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 398 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 12 | THB145.35 | THB290.70 | - |
| 14 - 24 | THB141.705 | THB283.41 | THB51.03 |
| 26 + | THB139.525 | THB279.05 | THB151.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 737-7458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF540Z
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 92W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.82mm | |
| Height | 16.51mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.66mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 92W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.82mm | ||
Height 16.51mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.66mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL540NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF540ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL540NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
