Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 99 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB58,828.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB62,946.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 2000THB29.414THB58,828.00
4000 - 6000THB28.532THB57,064.00
8000 +THB27.676THB55,352.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
124-8776
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLR3636TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

99A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

143W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.39mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 99A Maximum Continuous Drain Current - IRLR3636TRPBF


This n-channel enhancement MOSFET from Infineon is a power transistor designed for high-current switching in surface-mounted circuitry. It operates across a wide temperature span and suits applications requiring robust drain-source voltage handling and substantial continuous current capacity. The device features a TO-252 package for compact board-level mounting and a gate rating that supports typical gate-drive voltages.

Features and Benefits:


• Maximum continuous drain current 99A enables high-current switching
• Maximum drain-source voltage 60V supports mid-voltage systems
• Very low Rds(on) 8.3mΩ reduces conduction losses
• Maximum power dissipation 143W allows sustained high-power operation
• Typical gate charge 49nC permits predictable switching dynamics
• Forward voltage 1.3V minimises voltage drop under load

Applications


• Ideal for motor driver stages in electric actuators
• Suitable for high-current DC-DC converters and regulators
• Used with battery management and power distribution modules
• Can be used for synchronous rectification in power supplies
• Suitable for industrial switching in variable-speed drives

What gate-voltage limits must be observed during design?


The device must not be driven beyond a gate-source rating of 16V to avoid gate oxide stress and ensure reliable switching.

What thermal conditions can it tolerate in operation?


The transistor is specified to function between -55°C and 175°C, allowing use in demanding thermal environments with appropriate thermal management.

How does the package affect board layout and mounting?


The TO-252 surface-mount format provides a compact footprint and thermal path to the PCB, facilitating low-inductance connections and efficient heat transfer.

How does its channel type influence switching behaviour?


Being an N-channel enhancement device means it requires a positive gate drive relative to the source to turn on, offering low Rds(on) when appropriately driven.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง