DiodesZetex DMG1013T Type P-Channel MOSFET, 460 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 DMG1013T-7
- RS Stock No.:
- 121-9541
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG1013T-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB258.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB5,130.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,490.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 87,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 216,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB1.71 | THB5,130.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB1.667 | THB5,001.00 | THB258.00 |
| 12000 + | THB1.626 | THB4,878.00 | THB1,008.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 121-9541
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG1013T-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 460mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-89 | |
| Series | DMG1013T | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.58nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -6V, +6V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.7mm | |
| Height | 800μm | |
| Width | 850μm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 460mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-89 | ||
Series DMG1013T | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.58nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -6V, +6V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.7mm | ||
Height 800μm | ||
Width 850μm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMG1013T Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 DMG1013T-7
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4151PT1G
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89 FDY1002PZ
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 135 mA 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3
- Vishay Si1077X Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-89 SI1077X-T1-GE3
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 DMN26D0UT-7
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 DMN2710UTQ-7