Vishay Si1077X Type P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-89 SI1077X-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 812-3050
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1077X-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*
THB218.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB233.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,660 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB10.906 | THB218.12 |
| 760 - 1480 | THB10.633 | THB212.66 |
| 1500 + | THB10.47 | THB209.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 812-3050
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1077X-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 760mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SC-89 | |
| Series | Si1077X | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 244mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 236mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.43nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1.7mm | |
| Height | 0.6mm | |
| Width | 1.2 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 760mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SC-89 | ||
Series Si1077X | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 244mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 236mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.43nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1.7mm | ||
Height 0.6mm | ||
Width 1.2 mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si1077X Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-89
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4151PT1G
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 300 mA 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3
- onsemi NTA Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 NTA4151PT1G
- onsemi NTA Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML5103TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
