Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07D3NG

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB31,360.17

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33,555.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB31,360.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
854-515
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MSCSM330AM07D3NG
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

295A

Maximum Drain Source Voltage Vds

3300V

Series

mSiC

Mount Type

Heatsink

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

1918W

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip silicon carbide power module is a phase leg solution designed for high-voltage, high-current applications, leveraging Silicon Carbide technology for superior performance and reliability.

Features low RDS(on) for enhanced efficiency

Offers excellent thermal and power cycling reliability

Designed with a copper baseplate for improved heat dissipation

Incorporates a CTI600 plastic enclosure that promotes increased creepage and clearance