Microchip Half Bridge mSiC N-Channel SiC Power Module, 295 A, 3.3 kV Enhancement Mode MSCSM330AM07D3NG

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB33,586.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB35,937.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB33,586.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
854-515
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MSCSM330AM07D3NG
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

N

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

295A

Maximum Drain Source Voltage Vds

3.3kV

Series

mSiC

Mount Type

Heatsink

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

1918W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip silicon carbide power module is a phase leg solution designed for high-voltage, high-current applications, leveraging Silicon Carbide technology for superior performance and reliability.

Features low RDS(on) for enhanced efficiency

Offers excellent thermal and power cycling reliability

Designed with a copper baseplate for improved heat dissipation

Incorporates a CTI600 plastic enclosure that promotes increased creepage and clearance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง