Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07CD3NG

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB38,409.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB41,097.78

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB38,409.14

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
854-512
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MSCSM330AM07CD3NG
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

295A

Maximum Drain Source Voltage Vds

3300V

Series

mSiC

Mount Type

Heatsink

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

1918W

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip silicon carbide power module excels in high-performance applications, delivering exceptional voltage handling and continuous drain current capabilities for demanding environments.

Robust thermal reliability ensures optimal performance at elevated temperatures

Integrated Schottky diode provides zero reverse recovery, enhancing switching behaviour

Designed with a Kelvin source configuration for simplified gate driving

Compact, isolated package allows direct mounting to heatsinks