Vishay Low Side VS-FC N-Channel MOSFET Modules, 42 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC50LA65
- RS Stock No.:
- 869-228
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-FC50LA65
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,784.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,909.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB1,784.45 |
| 5 + | THB1,748.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 869-228
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-FC50LA65
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET Modules | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Series | VS-FC | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 54mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 167nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 431W | |
| Forward Voltage Vf | 1.55V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Low Side | |
| Height | 12.3mm | |
| Length | 38.3mm | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Width | 25.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET Modules | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type SOT-227 | ||
Series VS-FC | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 167nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 431W | ||
Forward Voltage Vf 1.55V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Low Side | ||
Height 12.3mm | ||
Length 38.3mm | ||
Standards/Approvals UL | ||
Width 25.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Vishay power module delivers high-performance functionality, optimised for use in low side chopper applications. This Advanced component efficiently manages power with superior thermal performance, ensuring reliable operation in demanding environments.
Super Junction technology reduces conduction losses
Maximum junction temperature of 150°C enhances reliability
UL approved, ensuring compliance with safety standards
Low on-resistance of 45 mΩ improves efficiency
Versatile SOT-227 package facilitates seamless integration
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single VS-FC N-Channel MOSFET Modules 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC50SA65
- Vishay Single VS-FC N-Channel MOSFET Modules 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC100SA65
- Vishay Single VS-FC N-Channel MOSFET Modules 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC150SA65
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2
- IXYS X2-Class N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN170N65X2