Vishay Single VS-FC N-Channel MOSFET Modules, 113 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC100SA65
- RS Stock No.:
- 869-226
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-FC100SA65
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,904.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,038.01
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB1,904.68 |
| 5 + | THB1,866.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 869-226
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VS-FC100SA65
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET Modules | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 113A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | VS-FC | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 338nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 833W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Width | 25.7mm | |
| Length | 38.3mm | |
| Height | 12.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET Modules | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 113A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series VS-FC | ||
Package Type SOT-227 | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 338nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 833W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Standards/Approvals UL | ||
Width 25.7mm | ||
Length 38.3mm | ||
Height 12.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Vishay N-Channel Super Junction Power MOSFET module features a Super Junction Power MOSFET that operates effectively within high current and voltage specifications.
Super junction technology enables superior performance with low R DS(on)
Continuous drain current rating of 82 A maximises efficiency under various operating conditions
Exceptional thermal characteristics allow operation at a maximum junction temperature of 150 °C
Gate to source voltage withstand of ±20 V ensures robust performance
Low gate charge minimises switching losses for optimal power management
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single VS-FC N-Channel MOSFET Modules 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC150SA65
- Vishay Single VS-FC N-Channel MOSFET Modules 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC50SA65
- Vishay Low Side VS-FC N-Channel MOSFET Modules 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 VS-FC50LA65
- IXYS Single HiperFET 38 A 4-Pin SOT-227 IXFN44N100Q3
- Vishay VS-GT100DA120UF 187 A 1200 V Panel
- Vishay VS-GT90DA120U 169 A 1200 V Panel
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET 53 A 4-Pin SOT-227