IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 150 A, 150 V, 4-Pin SOT-227 IXFN180N15P
- RS Stock No.:
- 194-259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN180N15P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB933.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB998.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB933.46 |
| 5 - 24 | THB914.79 |
| 25 + | THB896.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 194-259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN180N15P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V | |
| Package Type | SOT-227B | |
| Series | HiperFET, Polar | |
| Mounting Type | Screw Mount | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Power Dissipation | 680 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Transistor Material | Si | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Width | 25.42mm | |
| Length | 38.23mm | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| Height | 9.6mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 150 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 150 V | ||
Package Type SOT-227B | ||
Series HiperFET, Polar | ||
Mounting Type Screw Mount | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance 11 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 5V | ||
Maximum Power Dissipation 680 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V | ||
Transistor Material Si | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Width 25.42mm | ||
Length 38.23mm | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 240 nC @ 10 V | ||
Height 9.6mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
