STMicroelectronics STH280N10F8-2 N channel-Channel Power MOSFET, 292 A, 100 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB127.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB136.28

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB127.36
10 - 24THB123.56
25 - 99THB120.85
100 - 499THB102.97
500 +THB97.01

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
800-457
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STH280N10F8-2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

292A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

STH280N10F8-2

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

341W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

177nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

4V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.7mm

Length

10.4mm

Height

15.8mm

Standards/Approvals

ECOPACK

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics 100 V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure.

175 °C maximum operating junction temperature

100% avalanche tested

Excellent FoM (figure of merit)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง