STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB186.29

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB199.33

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 114 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB186.29
10 - 49THB180.86
50 - 99THB174.88
100 +THB150.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
800-461
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STH8N120K5-2AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

STH285N10F8-6AG

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.65mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.8mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

ECOPACK

Width

4.7mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC-Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง