ROHM Dual SCZ N channel-Channel Power Module, 106 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin Tube SCZ4011KTAC23
- RS Stock No.:
- 792-193
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCZ4011KTAC23
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB3,265.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,493.81
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB3,265.24 |
| 5 + | THB3,167.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 792-193
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCZ4011KTAC23
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 106A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Tube | |
| Series | SCZ | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 361W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 260nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 21V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 23.45mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 31.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 106A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Tube | ||
Series SCZ | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 361W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 260nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 21V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 23.45mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 31.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
The ROHM Automotive Grade Sic Power Module delivers efficient performance with high speed switching for Advanced power control applications. Its Compact construction supports easy integration in space constrained systems while ensuring reduced energy loss and reliable operation in demanding environments.
High speed switching enables Rapid response
Low switching losses improve efficiency
Compact design supports space saving integration
Suitable for inverter applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Dual BST N channel-Channel Power Module 3.9 V Enhancement, 12-Pin Power DIP Module BST400D12P4A101
- Wurth Elektronik 173020336 Current/Voltage 3.3 V Tube
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- Wolfspeed Series Type N-Channel Power MOSFET 1700 V Enhancement, 7-Pin
- Wolfspeed Series Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin
- STMicroelectronics Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH50N120-7
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R075M2HXTMA1
