Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 339 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB143.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB153.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB143.52
10 - 49THB116.43
50 - 99THB88.87
100 +THB71.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
762-986
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQFH99N06NM5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

339A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TSON-12

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

115nC

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง